13所標(biāo)準(zhǔn)化動態(tài)
中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所標(biāo)準(zhǔn)化工作動態(tài)
1、國際標(biāo)準(zhǔn)化
（1）13所聯(lián)合牽頭提出的3項IEC國際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布。2020年1月14日國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會官網(wǎng)發(fā)布了“關(guān)于公開2019年度我國牽頭及聯(lián)合牽頭制定國際電工委員會（IEC）國際標(biāo)準(zhǔn)情況的通知”，中國電科13所作為聯(lián)合牽頭單位提出并參與制定的下列3項國際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布實施：
1）IEC 62047-32:2019半導(dǎo)體器件 微電子機(jī)械器件 第32部分：MEMS諧振器的非線性振動測試方法
2）IEC 62047-33:2019半導(dǎo)體器件 微電子機(jī)械器件 第33部分：MEMS壓阻式壓力敏感器件
3）IEC 62047-34:2019半導(dǎo)體器件 微電子機(jī)械器件 第34部分：MEMS壓阻式壓力敏感器件圓片級試驗方法
這3項標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布，是繼我國于2016年在MEMS器件領(lǐng)域首次牽頭提出制定的1項標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后的又一次重大突破，及時將MEMS器件測試方法的研究成果制定為國際標(biāo)準(zhǔn)，體現(xiàn)了我國在MEMS領(lǐng)域的技術(shù)實力。
（2）牽頭提出的4項IEC國際標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)展順利。
經(jīng)過2019年6月在蘇州召開的工作組會議和10月上海IEC大會的推進(jìn)， 又有3項新提案成功立項，國際標(biāo)準(zhǔn)在研項目總數(shù)達(dá)到4項。IEC 63229 半導(dǎo)體器件 碳化硅襯底氮化鎵外延膜缺陷分類已進(jìn)入CDV階段，IEC中央辦公室正在進(jìn)行法文翻譯，計劃5月初分發(fā)。IEC 60747-16-7 半導(dǎo)體器件 第16-7部分：微波集成電路 衰減器、IEC 60747-16-8 半導(dǎo)體器件 第16-8部分：微波集成電路 限幅器和IEC 62047-41半導(dǎo)體器件 微電子機(jī)械器件 第41部分：RF MEMS環(huán)行器和隔離器三項提案處于CD階段，委員會草案（CD）均已分發(fā)，正在征求各國意見，5月底前完成，準(zhǔn)備在6月召開的工作組會議上討論。
這四項國際標(biāo)準(zhǔn)是我所牽頭提出的首批提案，開啟了我所主持制定國際標(biāo)準(zhǔn)的新篇章，體現(xiàn)了我國在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的技術(shù)實力，掌握了相關(guān)領(lǐng)域的話語權(quán)，為后續(xù)國際標(biāo)準(zhǔn)的制定奠定了基礎(chǔ)。
2、國家標(biāo)準(zhǔn)制定
- 1）13所主持編制的三項國家標(biāo)準(zhǔn)提前完成報批
2020年3月13所主持編制的三項國家標(biāo)準(zhǔn)《電子元器件 半導(dǎo)體器件長期貯存 第2部分：失效機(jī)理電子元器件（計劃號20182267-T-339）、《半導(dǎo)體器件長期貯存第5部分：芯片和晶圓》（計劃號20182266-T-339）、《微波集成電路 檢波器測試方法（計劃號20182277-T-339）提前一年完成報批。《電子元器件 半導(dǎo)體器件長期貯存 第2部分：失效機(jī)理電子元器件和《半導(dǎo)體器件長期貯存第5部分：芯片和晶圓》為等同采用IEC標(biāo)準(zhǔn)，是電子元器件 半導(dǎo)體器件長期貯存系列標(biāo)準(zhǔn)，通過該系列標(biāo)準(zhǔn)的制定，可確定電子元器件長期貯存需要的環(huán)境條件和可能導(dǎo)致的失效模式，評價長期貯存電子元器件的可靠性，對電子元器件的研究、生產(chǎn)、包裝、檢驗和使用具有重要意義，同時補(bǔ)充完善電子元器件標(biāo)準(zhǔn)體系，為電子元器件行業(yè)的發(fā)展起到指導(dǎo)作用。
（2）國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會下達(dá)推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)制修訂項目計劃，由13所主持6項國家標(biāo)準(zhǔn)制修訂項目。根據(jù)國標(biāo)委發(fā)【2020】6號《關(guān)于下達(dá)2020年推薦性國際標(biāo)準(zhǔn)計劃（修訂）的通知》和國標(biāo)委發(fā)【2020】14號《關(guān)于下達(dá)2020年第一批推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)制修訂計劃的通知》，由13所主持GB/T 20230-2006《磷化銦單晶》和GB/T 4587-1994 《半導(dǎo)體器件 第7部分：雙極型晶體管》2項國家標(biāo)準(zhǔn)的修訂任務(wù)，以及《半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗方法 第42部分：溫濕度貯存》、《半導(dǎo)體器件錫和錫合金表面涂覆的錫須影響的環(huán)境接收要求》、《半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗方法 第16部分：粒子碰撞噪聲檢測（PIND）》和《半導(dǎo)體器件 第16-5部分：微波集成電路 振蕩器》4項國家標(biāo)準(zhǔn)采標(biāo)項目。13所將充分調(diào)研和征求領(lǐng)域內(nèi)相關(guān)單位的意見，組織完成好上述標(biāo)準(zhǔn)的制修訂任務(wù)，發(fā)揮好行業(yè)骨干單位的作用，體現(xiàn)國企的責(zé)任和擔(dān)當(dāng)。
中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所標(biāo)準(zhǔn)化工作動態(tài)
1、國際標(biāo)準(zhǔn)化
（1）13所聯(lián)合牽頭提出的3項IEC國際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布。2020年1月14日國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會官網(wǎng)發(fā)布了“關(guān)于公開2019年度我國牽頭及聯(lián)合牽頭制定國際電工委員會（IEC）國際標(biāo)準(zhǔn)情況的通知”，中國電科13所作為聯(lián)合牽頭單位提出并參與制定的下列3項國際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布實施：
1）IEC 62047-32:2019半導(dǎo)體器件 微電子機(jī)械器件 第32部分：MEMS諧振器的非線性振動測試方法
2）IEC 62047-33:2019半導(dǎo)體器件 微電子機(jī)械器件 第33部分：MEMS壓阻式壓力敏感器件
3）IEC 62047-34:2019半導(dǎo)體器件 微電子機(jī)械器件 第34部分：MEMS壓阻式壓力敏感器件圓片級試驗方法
這3項標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布，是繼我國于2016年在MEMS器件領(lǐng)域首次牽頭提出制定的1項標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布后的又一次重大突破，及時將MEMS器件測試方法的研究成果制定為國際標(biāo)準(zhǔn)，體現(xiàn)了我國在MEMS領(lǐng)域的技術(shù)實力。
（2）牽頭提出的4項IEC國際標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)展順利。
經(jīng)過2019年6月在蘇州召開的工作組會議和10月上海IEC大會的推進(jìn)， 又有3項新提案成功立項，國際標(biāo)準(zhǔn)在研項目總數(shù)達(dá)到4項。IEC 63229 半導(dǎo)體器件 碳化硅襯底氮化鎵外延膜缺陷分類已進(jìn)入CDV階段，IEC中央辦公室正在進(jìn)行法文翻譯，計劃5月初分發(fā)。IEC 60747-16-7 半導(dǎo)體器件 第16-7部分：微波集成電路 衰減器、IEC 60747-16-8 半導(dǎo)體器件 第16-8部分：微波集成電路 限幅器和IEC 62047-41半導(dǎo)體器件 微電子機(jī)械器件 第41部分：RF MEMS環(huán)行器和隔離器三項提案處于CD階段，委員會草案（CD）均已分發(fā)，正在征求各國意見，5月底前完成，準(zhǔn)備在6月召開的工作組會議上討論。
這四項國際標(biāo)準(zhǔn)是我所牽頭提出的首批提案，開啟了我所主持制定國際標(biāo)準(zhǔn)的新篇章，體現(xiàn)了我國在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的技術(shù)實力，掌握了相關(guān)領(lǐng)域的話語權(quán)，為后續(xù)國際標(biāo)準(zhǔn)的制定奠定了基礎(chǔ)。
2、國家標(biāo)準(zhǔn)制定
- 1）13所主持編制的三項國家標(biāo)準(zhǔn)提前完成報批
2020年3月13所主持編制的三項國家標(biāo)準(zhǔn)《電子元器件 半導(dǎo)體器件長期貯存 第2部分：失效機(jī)理電子元器件（計劃號20182267-T-339）、《半導(dǎo)體器件長期貯存第5部分：芯片和晶圓》（計劃號20182266-T-339）、《微波集成電路 檢波器測試方法（計劃號20182277-T-339）提前一年完成報批。《電子元器件 半導(dǎo)體器件長期貯存 第2部分：失效機(jī)理電子元器件和《半導(dǎo)體器件長期貯存第5部分：芯片和晶圓》為等同采用IEC標(biāo)準(zhǔn)，是電子元器件 半導(dǎo)體器件長期貯存系列標(biāo)準(zhǔn)，通過該系列標(biāo)準(zhǔn)的制定，可確定電子元器件長期貯存需要的環(huán)境條件和可能導(dǎo)致的失效模式，評價長期貯存電子元器件的可靠性，對電子元器件的研究、生產(chǎn)、包裝、檢驗和使用具有重要意義，同時補(bǔ)充完善電子元器件標(biāo)準(zhǔn)體系，為電子元器件行業(yè)的發(fā)展起到指導(dǎo)作用。
（2）國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會下達(dá)推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)制修訂項目計劃，由13所主持6項國家標(biāo)準(zhǔn)制修訂項目。根據(jù)國標(biāo)委發(fā)【2020】6號《關(guān)于下達(dá)2020年推薦性國際標(biāo)準(zhǔn)計劃（修訂）的通知》和國標(biāo)委發(fā)【2020】14號《關(guān)于下達(dá)2020年第一批推薦性國家標(biāo)準(zhǔn)制修訂計劃的通知》，由13所主持GB/T 20230-2006《磷化銦單晶》和GB/T 4587-1994 《半導(dǎo)體器件 第7部分：雙極型晶體管》2項國家標(biāo)準(zhǔn)的修訂任務(wù)，以及《半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗方法 第42部分：溫濕度貯存》、《半導(dǎo)體器件錫和錫合金表面涂覆的錫須影響的環(huán)境接收要求》、《半導(dǎo)體器件 機(jī)械和氣候試驗方法 第16部分：粒子碰撞噪聲檢測（PIND）》和《半導(dǎo)體器件 第16-5部分：微波集成電路 振蕩器》4項國家標(biāo)準(zhǔn)采標(biāo)項目。13所將充分調(diào)研和征求領(lǐng)域內(nèi)相關(guān)單位的意見，組織完成好上述標(biāo)準(zhǔn)的制修訂任務(wù)，發(fā)揮好行業(yè)骨干單位的作用，體現(xiàn)國企的責(zé)任和擔(dān)當(dāng)。
